Справочник IGBT. CT20VSL-8

 

CT20VSL-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CT20VSL-8
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: TO220S
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CT20VSL-8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:26K  mitsubishi
 ct20vsl-8.pdf pdf_icon

CT20VSL-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VSL-8STROBE FLASHER USECT20VSL-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM .................................................................

 8.1. Size:29K  mitsubishi
 ct20vs-8.pdf pdf_icon

CT20VSL-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT20VS-8STROBE FLASHER USECT20VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................

Другие IGBT... CT15SM-24 , CT20AS-8 , CT20ASJ-8 , CT20ASL-8 , CT20TM-8 , CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , GT30J127 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , CT30VM-8 , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 .

History: DM2G50SH12A | IXGT30N60C3D1 | RJH1CM5DPQ-E0 | APTGT50X170BTP3 | IXXX160N65C4 | BSM100GD60DLC | MMG200DR120B

 

 
Back to Top

 


 
.