IXBX75N170 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBX75N170

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXBX75N170

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBX75N170 даташит

 ..1. Size:179K  ixys
 ixbk75n170 ixbx75n170.pdf pdf_icon

IXBX75N170

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170 Bipolar MOS Transistor IC110 = 75A IXBX75N170 VCE(sat) 3.1V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capabilitt

 ..2. Size:177K  ixys
 ixbx75n170.pdf pdf_icon

IXBX75N170

Preliminary Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170 Bipolar MOS Transistor IC110 = 75A IXBX75N170 VCE(sat) 3.1V TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V Tab E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capabilitt

 0.1. Size:192K  ixys
 ixbx75n170a.pdf pdf_icon

IXBX75N170

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 65A IXBX75N170A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C

 0.2. Size:194K  ixys
 ixbk75n170a ixbx75n170a.pdf pdf_icon

IXBX75N170

Advance Technical Information BiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700V IXBK75N170A Bipolar MOS Transistor IC90 = 65A IXBX75N170A VCE(sat) 6.00V tfi(typ) = 60ns TO-264 (IXBK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C VGES Continuous 20 V (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBT2N250, IXBT32N300, IXBT42N170, IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300, IXBX64N250, MBQ60T65PES, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1