Справочник IGBT. IXBX75N170A

 

IXBX75N170A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXBX75N170A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 110 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 450 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 358 nC
   Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXBX75N170A

 

 

IXBX75N170A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  ixys
 ixbx75n170a.pdf

IXBX75N170A IXBX75N170A

Advance Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 65AIXBX75N170AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V (TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C

 ..2. Size:194K  ixys
 ixbk75n170a ixbx75n170a.pdf

IXBX75N170A IXBX75N170A

Advance Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170ABipolar MOS Transistor IC90 = 65AIXBX75N170AVCE(sat) 6.00Vtfi(typ) = 60nsTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V (TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C

 4.1. Size:179K  ixys
 ixbk75n170 ixbx75n170.pdf

IXBX75N170A IXBX75N170A

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170Bipolar MOS Transistor IC110 = 75AIXBX75N170VCE(sat) 3.1VTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capabilitt

 4.2. Size:177K  ixys
 ixbx75n170.pdf

IXBX75N170A IXBX75N170A

Preliminary Technical InformationBiMOSFETTM Monolithic VCES = 1700VIXBK75N170Bipolar MOS Transistor IC110 = 75AIXBX75N170VCE(sat) 3.1VTO-264 (IXBK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGCVGES Continuous 20 V TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capabilitt

Другие IGBT... IXBT32N300 , IXBT42N170 , IXBT42N170A , IXBT6N170 , IXBX25N250 , IXBX55N300 , IXBX64N250 , IXBX75N170 , GT50JR22 , IXDH35N60B , IXDH35N60BD1 , IXDP20N60B , IXDP20N60BD1 , IXDP35N60B , IXDR30N120 , IXDR30N120D1 , IXDR35N60BD1 .

 

 
Back to Top