IXDH35N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXDH35N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXDH35N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXDH35N60BD1 даташит

 ..1. Size:325K  ixys
 ixdh35n60bd1.pdf pdf_icon

IXDH35N60BD1

IXDP 35N60 B VCES = 600 V IGBT IXDH 35N60 B IC25 = 60 A with optional Diode IXDH 35N60 BD1 VCE(sat) typ = 2.1 V High Speed, Low Saturation Voltage C C TO-247 AD IXDH ... G G G E E C C (TAB) E IXDH 35N60 B IXDH 35N60 BD1 IXDP 35N60 B Symbol Conditions Maximum Ratings TO-220 AB IXDP ... VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 600 V G C E VG

 4.1. Size:325K  ixys
 ixdh35n60b.pdf pdf_icon

IXDH35N60BD1

IXDP 35N60 B VCES = 600 V IGBT IXDH 35N60 B IC25 = 60 A with optional Diode IXDH 35N60 BD1 VCE(sat) typ = 2.1 V High Speed, Low Saturation Voltage C C TO-247 AD IXDH ... G G G E E C C (TAB) E IXDH 35N60 B IXDH 35N60 BD1 IXDP 35N60 B Symbol Conditions Maximum Ratings TO-220 AB IXDP ... VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 20 kW 600 V G C E VG

 9.1. Size:83K  ixys
 ixdh30n120.pdf pdf_icon

IXDH35N60BD1

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 60 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G G C C (TAB) E E E IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V

 9.2. Size:83K  ixys
 ixdh30n120d1.pdf pdf_icon

IXDH35N60BD1

IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 VCES = 1200 V High Voltage IGBT IC25 = 60 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.4 V Short Circuit SOA Capability C C Square RBSOA TO-247 AD (IXDH) G G G C C (TAB) E E E IXDH 30N120 IXDH 30N120 D1 G = Gate, E = Emitter C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBT42N170A, IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, FGH60N60SMD, IXDP20N60B, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1