IXDP20N60B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXDP20N60B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXDP20N60B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXDP20N60B даташит

 ..1. Size:277K  ixys
 ixdp20n60b.pdf pdf_icon

IXDP20N60B

IXDP 20N60 B VCES = 600 V High Voltage IGBT IXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.2 V High Speed, Low Saturation Voltage C C TO-220 AB G G G C E C (TAB) E E G = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1 C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V low switching l

 0.1. Size:277K  ixys
 ixdp20n60bd1.pdf pdf_icon

IXDP20N60B

IXDP 20N60 B VCES = 600 V High Voltage IGBT IXDP 20N60 BD1 IC25 = 32 A with optional Diode VCE(sat) typ = 2.2 V High Speed, Low Saturation Voltage C C TO-220 AB G G G C E C (TAB) E E G = Gate, E = Emitter IXDP 20N60B IXDP 20N60B D1 C = Collector , TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features NPT IGBT technology VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V low switching l

Другие IGBT... IXBT6N170, IXBX25N250, IXBX55N300, IXBX64N250, IXBX75N170, IXBX75N170A, IXDH35N60B, IXDH35N60BD1, GT50JR22, IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120