IXEH40N120D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXEH40N120D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXEH40N120D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXEH40N120D1 даташит

 ..1. Size:195K  ixys
 ixeh40n120 ixeh40n120d1.pdf pdf_icon

IXEH40N120D1

IXEH 40N120 IXEH 40N120D1 IC25 = 60 A NPT3 IGBT VCES = 1200 V VCE(sat) typ. = 2.4 V C C TO-247 AD G G G E E C C (TAB) E IXEH 40N120 IXEH 40N120D1 Features IGBT NPT3 IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - low saturation voltage - positive temperature coefficient for VCES TVJ = 25 C to 150 C 1200 V easy paralleling - fast switching VGES 20 V - short tail cur

Другие IGBT... IXDP20N60BD1, IXDP35N60B, IXDR30N120, IXDR30N120D1, IXDR35N60BD1, IXEH25N120, IXEH25N120D1, IXEH40N120, SGT40N60NPFDPN, IXEL40N400, IXEN60N120, IXEN60N120D1, IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1, IXER60N120, IXGA12N120A2