Справочник IGBT. IXGA14N120B

 

IXGA14N120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGA14N120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA14N120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  ixys
ixga14n120b ixgp14n120b.pdfpdf_icon

IXGA14N120B

IXGA 14N120BVCES = 1200 VIGBTIXGP 14N120BIC25 = 28 AOptimized forVCE(sat) = 3.3 Vswitching up to 35 KHzPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C28 AIC110 TC = 110C14 AICM TC = 25C,

 9.1. Size:70K  ixys
ixga12n60cd1 ixgp12n60cd1.pdfpdf_icon

IXGA14N120B

IXGA 12N60CD1HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGP 12N60CD1LightspeedTM Series IC25 = 24 AVCE(sat) = 2.7 Vtfi(typ) = 55 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXGA)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 ATO-220 ABICM TC = 25C,

 9.2. Size:71K  ixys
ixga12n60b ixgp12n60b.pdfpdf_icon

IXGA14N120B

IXGA 12N60B VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGP 12N60B IC25 = 24 AVCE(sat) = 2.1 Vtfi(typ) = 120 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 AIC90 TC = 90C12 ATO-263 AA (IXGA)ICM TC =

 9.3. Size:214K  ixys
ixga16n60b2d1.pdfpdf_icon

IXGA14N120B

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2D1B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2D1w/ Diode VCE(sat) 2.3VIXGH16N60B2D1tfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (

Другие IGBT... IXEN60N120D1 , IXER20N120 , IXER20N120D1 , IXER35N120D1 , IXER60N120 , IXGA12N120A2 , IXGA12N120A3 , IXGA12N60B , FGA60N65SMD , IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IXGA16N60C2 , IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , IXGA20N120 , IXGA20N120A3 .

 

 
Back to Top

 


 
.