IXGA15N120B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGA15N120B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 86 nC

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXGA15N120B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA15N120B2 даташит

 ..1. Size:63K  ixys
 ixga15n120b2 ixgp15n120b2.pdf pdf_icon

IXGA15N120B2

VCES =1200 V IXGA 15N120B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 30 A IXGP 15N120B2 VCE(sat) = 3.5 V Optimized for 10-25 KHz hard tfi(typ) = 137 ns switching and up to 150 KHz resonant switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 2

 3.1. Size:51K  ixys
 ixga15n120b ixgp15n120b.pdf pdf_icon

IXGA15N120B2

IXGA 15N120B VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 15N120B IC25 = 30 A VCE(sat) = 3.2 V tfi(typ) = 160 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C30 A IC90 TC = 90 C15 A ICM TC = 25 C, 1 ms 60 A TO-263 AA

 4.1. Size:576K  ixys
 ixga15n120c ixgp15n120c.pdf pdf_icon

IXGA15N120B2

VCES =1200 V IXGA 15N120C IGBT IC25 = 30 A IXGP 15N120C VCE(sat) = 3.8 V Lightspeed Series tfi(typ) = 115 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C30 A IC90 TC = 90 C15 A ICM TC = 25 C, 1 ms 60 A TO-263 AA (IXGA)

 6.1. Size:98K  ixys
 ixga15n100c ixgp15n100c.pdf pdf_icon

IXGA15N120B2

VCES =1000 V IXGA 15N100C IGBT IC25 = 30 A IXGP 15N100C VCE(sat) = 3.5 V Lightspeed Series tfi(typ) = 115 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V TO-220AB (IXGP) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C30 A IC90 TC = 90 C15 A ICM TC = 25 C, 1 ms 60 A TO-263 AA (IXGA)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXER20N120, IXER20N120D1, IXER35N120D1, IXER60N120, IXGA12N120A2, IXGA12N120A3, IXGA12N60B, IXGA14N120B, IKW75N60T, IXGA16N60B2, IXGA16N60B2D1, IXGA16N60C2, IXGA16N60C2D1, IXGA20N100A3, IXGA20N120, IXGA20N120A3, IXGA20N120B3