IXGA20N120 - аналоги и описание IGBT

 

IXGA20N120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGA20N120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 90 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXGA20N120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGA20N120 даташит

 ..1. Size:69K  ixys
 ixga20n120.pdf pdf_icon

IXGA20N120

VCES = 1200 V IXGA 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A SSOA VGE = 15 V, T

 ..2. Size:71K  ixys
 ixga20n120 ixgp20n120.pdf pdf_icon

IXGA20N120

VCES = 1200 V IXGA 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A SSOA VGE = 15 V, T

 0.1. Size:234K  ixys
 ixga20n120a3.pdf pdf_icon

IXGA20N120

VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G

 0.2. Size:210K  ixys
 ixga20n120b3.pdf pdf_icon

IXGA20N120

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGA20N120B3 IC90 = 20A IXGP20N120B3 VCE(sat) 3.1V High Speed Low Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching TO-263 (IXGA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E C (TAB) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V TO-220 (IXGP) VGES Continuous 20 V VGEM Trans

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGA12N60B , IXGA14N120B , IXGA15N120B2 , IXGA16N60B2 , IXGA16N60B2D1 , IXGA16N60C2 , IXGA16N60C2D1 , IXGA20N100A3 , GT30G124 , IXGA20N120A3 , IXGA20N120B3 , IXGA24N120C3 , IXGA24N60C , IXGA30N120B3 , IXGA30N60C3 , IXGA30N60C3C1 , IXGA30N60C3D4 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.