CT30VM-8 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CT30VM-8  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

Тип корпуса: TO220C

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CT30VM-8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CT30VM-8 даташит

 ..1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vm-8.pdf pdf_icon

CT30VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30VM-8 STROBE FLASHER USE CT30VM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 10.5MAX. r 1.3 1 0.5 0.5 2.5 2.5 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR VCES ................................................................................400V e ICM ...............................................................................

 9.1. Size:28K  mitsubishi
 ct30vs-8.pdf pdf_icon

CT30VM-8

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR CT30VS-8 STROBE FLASHER USE CT30VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm r 10.5MAX. 4.5 1.3 +0.3 0 0 1 5 0.5 0.8 q w e wr q GATE q w COLLECTOR e EMITTER r COLLECTOR e VCES ............................................................................... 400V ICM ...................................................................

Другие IGBT... CT20VM-8, CT20VML-8, CT20VS-8, CT20VSL-8, CT25AS-8, CT25ASJ-8, CT30SM-12, CT30TM-8, CRG40T60AK3HD, CT30VS-8, CT35SM-8, CT40TMH-8, CT60AM-18B, CT60AM-18F, CT60AM-20, CT75AM-12, CY20AAJ-8