CT30VM-8 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CT30VM-8
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 180(pulse) A @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: TO220C
Аналог (замена) для CT30VM-8
CT30VM-8 Datasheet (PDF)
ct30vm-8.pdf

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30VM-8STROBE FLASHER USECT30VM-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm10.5MAX.r1.310.5 0.52.5 2.5q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTORVCES ................................................................................400VeICM ...............................................................................
ct30vs-8.pdf

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTORCT30VS-8STROBE FLASHER USECT30VS-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mmr 10.5MAX. 4.51.3+0.30 0150.50.8q w ewrq GATEq w COLLECTORe EMITTERr COLLECTOReVCES ............................................................................... 400VICM ...................................................................
Другие IGBT... CT20VM-8 , CT20VML-8 , CT20VS-8 , CT20VSL-8 , CT25AS-8 , CT25ASJ-8 , CT30SM-12 , CT30TM-8 , SGT40N60FD2PN , CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 .
History: IRG4PC20U
History: IRG4PC20U



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor