IXGF20N250 - аналоги и описание IGBT

 

IXGF20N250 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXGF20N250
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
   Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
 

 Аналог (замена) для IXGF20N250

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXGF20N250

 ..1. Size:192K  ixys
 ixgf20n250.pdf pdf_icon

IXGF20N250

High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGF20N250 For Capacitor Discharge IC25 = 23A Applications VCE(sat) 3.1V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 23 A 1

 7.1. Size:189K  ixys
 ixgf20n300.pdf pdf_icon

IXGF20N250

VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF20N300 For Capacitor Discharge IC25 = 22A Applications VCE(sat) 3.2V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V 1 2 VGES Continuous 20 V Isolated Tab 5 VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 22 A 1

 9.1. Size:112K  ixys
 ixgf25n300.pdf pdf_icon

IXGF20N250

VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF25N300 For Capacitor Discharge IC25 = 27A Applications VCE(sat) 3.0V ( Electrically Isolated Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTM VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 27 A I

 9.2. Size:221K  ixys
 ixgf25n250.pdf pdf_icon

IXGF20N250

VCES = 2500V High Voltage IGBT IXGF25N250 IC25 = 30A For Capacitor Discharge Applications VCE(sat) 2.9V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V 1 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V 5 VGES Continuous 20 V ISOLATED TAB VGEM Transient 30 V 1 = Gate 5 = Collector

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , RJH60F7BDPQ-A0 , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 , IXGH100N30C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.