IXGF20N250 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGF20N250
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.1(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 160 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 53 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 53 nC
Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
Аналог (замена) для IXGF20N250
IXGF20N250 Datasheet (PDF)
ixgf20n250.pdf

High Voltage IGBT VCES = 2500VIXGF20N250For Capacitor DischargeIC25 = 23AApplicationsVCE(sat) 3.1V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 23 A1
ixgf20n300.pdf

VCES = 3000VHigh Voltage IGBT IXGF20N300For Capacitor DischargeIC25 = 22AApplicationsVCE(sat) 3.2V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 V12VGES Continuous 20 VIsolated Tab5VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 22 A1
ixgf25n300.pdf

VCES = 3000VHigh Voltage IGBT IXGF25N300For Capacitor Discharge IC25 = 27AApplications VCE(sat) 3.0V ( Electrically Isolated Tab)Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTMVCES TJ = 25C to 150C 3000 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V12VGEM Transient 30 VIsolated Tab5IC25 TC = 25C 27 AI
ixgf25n250.pdf

VCES = 2500VHigh Voltage IGBT IXGF25N250IC25 = 30AFor Capacitor DischargeApplicationsVCE(sat) 2.9V( Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 2500 V12VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 2500 V5VGES Continuous 20 VISOLATED TABVGEM Transient 30 V1 = Gate 5 = Collector
Другие IGBT... IXGA4N100 , IXGA50N60B4 , IXGA50N60C4 , IXGA7N60BD1 , IXGA7N60CD1 , IXGB200N60B3 , IXGB75N60BD1 , IXGE200N60B , STGB10NB37LZ , IXGF20N300 , IXGF25N250 , IXGF25N300 , IXGF30N400 , IXGF32N170 , IXGF36N300 , IXGH100N30B3 , IXGH100N30C3 .
History: OST50N65HEWF
History: OST50N65HEWF



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312