IXGF25N250 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGF25N250
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 233 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 98 pF
Тип корпуса: ISOPLUS-I4-PAK
Аналог (замена) для IXGF25N250
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGF25N250 даташит
ixgf25n250.pdf
VCES = 2500V High Voltage IGBT IXGF25N250 IC25 = 30A For Capacitor Discharge Applications VCE(sat) 2.9V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V 1 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V 5 VGES Continuous 20 V ISOLATED TAB VGEM Transient 30 V 1 = Gate 5 = Collector
ixgf25n300.pdf
VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF25N300 For Capacitor Discharge IC25 = 27A Applications VCE(sat) 3.0V ( Electrically Isolated Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS i4-PakTM VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 27 A I
ixgf20n300.pdf
VCES = 3000V High Voltage IGBT IXGF20N300 For Capacitor Discharge IC25 = 22A Applications VCE(sat) 3.2V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 3000 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V 1 2 VGES Continuous 20 V Isolated Tab 5 VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 22 A 1
ixgf20n250.pdf
High Voltage IGBT VCES = 2500V IXGF20N250 For Capacitor Discharge IC25 = 23A Applications VCE(sat) 3.1V ( Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 2500 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 2500 V VGES Continuous 20 V 1 2 VGEM Transient 30 V Isolated Tab 5 IC25 TC = 25 C 23 A 1
Другие IGBT... IXGA50N60C4, IXGA7N60BD1, IXGA7N60CD1, IXGB200N60B3, IXGB75N60BD1, IXGE200N60B, IXGF20N250, IXGF20N300, IKW30N60H3, IXGF25N300, IXGF30N400, IXGF32N170, IXGF36N300, IXGH100N30B3, IXGH100N30C3, IXGH10N170, IXGH10N170A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437




