Справочник IGBT. IXGH24N120C3H1

 

IXGH24N120C3H1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH24N120C3H1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 48 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 125 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH24N120C3H1

 

 

IXGH24N120C3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:139K  ixys
 ixgh24n120c3h1.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBT IXGH24N120C3H1IC25 = 48AVCE(sat) 4.2VHigh speed PT IGBTs fortfi(typ) = 110ns10-50kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247ADVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C48 T

 2.1. Size:188K  ixys
 ixgh24n120c3.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

Preliminary Technical InformationVCES = 1200VGenX3TM 1200V IGBT IXGA24N120C3IC25 = 48AIXGH24N120C3VCE(sat) 4.2VIXGP24N120C3 High speed PT IGBTs fortfi(typ) = 110ns10-50kHz SwitchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VGEVGES Continuous 20 V C (TAB)V

 6.1. Size:222K  ixys
 ixgh24n170a.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AIGBTsIXGT24N170AIC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 ATO-268 (IX

 6.2. Size:519K  ixys
 ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

IXGH 24N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 24N170AIC25 = 24 AIGBTVCE(sat) = 6.0 Vtfi(typ) = 45 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C16 AICM

 6.3. Size:113K  ixys
 ixgh24n170.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

Advance Technical InformationVCES = 1700VHigh Voltage IXGH24N170IC25 = 50AIGBT IXGT24N170VCE(sat) 3.3Vtfi(typ) = 250nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGC C (TAB)VGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268 (IXGT)IC25 TC = 25C 50 AIC9

 6.4. Size:223K  ixys
 ixgh24n170ah1.pdf

IXGH24N120C3H1 IXGH24N120C3H1

Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AH1IGBTs w/DiodeIXGT24N170AH1IC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 A

Другие IGBT... IXGH16N60C2D1 , IXGH20N100A3 , IXGH20N120 , IXGH20N120A3 , IXGH20N120B , IXGH20N140C3H1 , IXGH22N170 , IXGH24N120C3 , BT15T120ANF , IXGH24N170 , IXGH24N170A , IXGH24N170AH1 , IXGH24N60C4 , IXGH24N60C4D1 , IXGH25N160 , IXGH25N250 , IXGH28N120B .

 

 
Back to Top