IXGH30N60B2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXGH30N60B2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXGH30N60B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH30N60B2 даташит

 ..1. Size:576K  ixys
 ixgh30n60b2.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

 ..2. Size:578K  ixys
 ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

 0.1. Size:506K  ixys
 ixgh30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

 0.2. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH28N120BD1, IXGH28N140B3H1, IXGH28N60B3D1, IXGH28N60BD1, IXGH2N250, IXGH30N120B3, IXGH30N120B3D1, IXGH30N120C3H1, RJP63K2DPP-M0, IXGH30N60B2D1, IXGH30N60B4, IXGH30N60C2, IXGH30N60C2D1, IXGH30N60C3, IXGH30N60C3C1, IXGH30N60C3D1, IXGH32N100A3