Справочник IGBT. IXGH30N60B2D1

 

IXGH30N60B2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH30N60B2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 145 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 66 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXGH30N60B2D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH30N60B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  ixys
 ixgh30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 ..2. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 3.1. Size:576K  ixys
 ixgh30n60b2.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 3.2. Size:578K  ixys
 ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGH30N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH28N140B3H1 , IXGH28N60B3D1 , IXGH28N60BD1 , IXGH2N250 , IXGH30N120B3 , IXGH30N120B3D1 , IXGH30N120C3H1 , IXGH30N60B2 , FGH40N60UFD , IXGH30N60B4 , IXGH30N60C2 , IXGH30N60C2D1 , IXGH30N60C3 , IXGH30N60C3C1 , IXGH30N60C3D1 , IXGH32N100A3 , IXGH32N120A3 .

 

 
Back to Top

 


 
.