IXGH32N100A3 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGH32N100A3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGH32N100A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 51 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXGH32N100A3

IXGH32N100A3 Datasheet (PDF)

..1. Size:120K ixys
ixgh32n100a3.pdf

Advance Technical Information IXGH32N100A3 VCES = 1000V GenX3TM 1000V IGBT IXGT32N100A3 IC25 = 75A VCE(sat) 2.2V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 4 kHz switching TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25C to 150C 1000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1000 V C E VGES Continuous 20 V TO-268 (

6.1. Size:572K ixys
ixgh32n170a ixgt32n170a.pdf

IXGH 32N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 32N170AIC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 5.0 Vtfi(typ) = 50 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C32 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C21 AICM TC = 25C, 1 ms 110 A

6.2. Size:573K ixys
ixgh32n170.pdf

High Voltage IXGH 32N170 VCES = 1700 VIXGT 32N170 IC25 = 75 AIGBTVCE(sat) = 3.3 Vtfi(typ) = 250 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C75 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C32 AICM TC

6.3. Size:194K ixys
ixgh32n120a3.pdf

GenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGH32N120A3IGBTs IC110 = 32AIXGT32N120A3VCE(sat) 2.35VUltra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3 kHz SwitchingTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VC (Tab)VGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 75

6.4. Size:569K ixys
ixgh32n170a.pdf