IXGH32N170A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH32N170A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 57 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH32N170A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH32N170A даташит

 ..1. Size:572K  ixys
 ixgh32n170a ixgt32n170a.pdf pdf_icon

IXGH32N170A

IXGH 32N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 32N170A IC25 = 32 A IGBT VCE(sat) = 5.0 V tfi(typ) = 50 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C32 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C21 A ICM TC = 25 C, 1 ms 110 A

 ..2. Size:569K  ixys
 ixgh32n170a.pdf pdf_icon

IXGH32N170A

IXGH 32N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 32N170A IC25 = 32 A IGBT VCE(sat) = 5.0 V tfi(typ) = 50 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C32 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C21 A ICM TC = 25 C, 1 ms 110 A

 4.1. Size:573K  ixys
 ixgh32n170.pdf pdf_icon

IXGH32N170A

High Voltage IXGH 32N170 VCES = 1700 V IXGT 32N170 IC25 = 75 A IGBT VCE(sat) = 3.3 V tfi(typ) = 250 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C75 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C32 A ICM TC

 4.2. Size:577K  ixys
 ixgh32n170 ixgt32n170.pdf pdf_icon

IXGH32N170A

High Voltage IXGH 32N170 VCES = 1700 V IXGT 32N170 IC25 = 75 A IGBT VCE(sat) = 3.3 V tfi(typ) = 250 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C75 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C32 A ICM TC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH30N60C2, IXGH30N60C2D1, IXGH30N60C3, IXGH30N60C3C1, IXGH30N60C3D1, IXGH32N100A3, IXGH32N120A3, IXGH32N170, RJP30H2A, IXGH32N90B2, IXGH32N90B2D1, IXGH34N60B2, IXGH35N120B, IXGH35N120C, IXGH36N60A3, IXGH36N60A3D4, IXGH36N60B3