IXGH40N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH40N60B2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH40N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH40N60B2D1 даташит

 ..1. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

 ..2. Size:513K  ixys
 ixgh40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

 3.1. Size:578K  ixys
 ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

 3.2. Size:575K  ixys
 ixgh40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH36N60B3D1, IXGH36N60B3D4, IXGH40N120A2, IXGH40N120B2D1, IXGH40N120C3, IXGH40N120C3D1, IXGH40N60B, IXGH40N60B2, G50T65D, IXGH40N60C, IXGH40N60C2, IXGH40N60C2D1, IXGH42N30C3, IXGH45N120, IXGH48N60A3, IXGH48N60A3D1, IXGH48N60B3