Справочник IGBT. IXGH40N60B2D1

 

IXGH40N60B2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH40N60B2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXGH40N60B2D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH40N60B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

 ..2. Size:513K  ixys
 ixgh40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

 3.1. Size:578K  ixys
 ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

 3.2. Size:575K  ixys
 ixgh40n60b2.pdf pdf_icon

IXGH40N60B2D1

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH36N60B3D1 , IXGH36N60B3D4 , IXGH40N120A2 , IXGH40N120B2D1 , IXGH40N120C3 , IXGH40N120C3D1 , IXGH40N60B , IXGH40N60B2 , IRGP4063D , IXGH40N60C , IXGH40N60C2 , IXGH40N60C2D1 , IXGH42N30C3 , IXGH45N120 , IXGH48N60A3 , IXGH48N60A3D1 , IXGH48N60B3 .

 

 
Back to Top

 


 
.