CY25AAJ-8 - аналоги и описание IGBT

 

CY25AAJ-8 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CY25AAJ-8

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для CY25AAJ-8

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CY25AAJ-8 даташит

 ..1. Size:38K  mitsubishi
cy25aaj-8.pdfpdf_icon

CY25AAJ-8

MITSUBISHI IGBT MITSUBISHI IGBT CY25AAJ-8 CY25AAJ-8 Nch IGBT for STROBE FLASHER Nch IGBT for STROBE FLASHER CY25AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX. 5.0 0.4 1.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

 0.1. Size:112K  renesas
cy25aaj-8f.pdfpdf_icon

CY25AAJ-8

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... CT30VS-8 , CT35SM-8 , CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , FGPF4633 , VBGN40N120 , VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.