IXGH48N60B3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH48N60B3D1

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 115 nC

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH48N60B3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH48N60B3D1 даташит

 ..1. Size:200K  ixys
 ixgh48n60b3d1.pdf pdf_icon

IXGH48N60B3D1

Preliminary Technical Information VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH48N60B3D1 with Diode IC110 = 48A VCE(sat) 1.8V Medium speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz switching TO-247(IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G ( TAB ) C E I

 3.1. Size:221K  ixys
 ixgh48n60b3.pdf pdf_icon

IXGH48N60B3D1

IXGA48N60B3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGP48N60B3 IC110 = 48A IXGH48N60B3 VCE(sat) 1.8V Medium speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 600 V (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-220 (IXGP) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC110 TC = 1

 3.2. Size:185K  ixys
 ixgh48n60b3c1.pdf pdf_icon

IXGH48N60B3D1

Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGH48N60B3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 48A Diode VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 116ns Medium Speed Low Vsat PT IGBT 5 - 40 kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V ( TAB ) C E VGES Continuous 20

 5.1. Size:223K  ixys
 ixga48n60c3-ixgh48n60c3-ixgp48n60c3.pdf pdf_icon

IXGH48N60B3D1

IXGA48N60C3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH48N60C3 IC110 = 48A IXGP48N60C3 VCE(sat) 2.5V High Speed PT IGBTs for tfi(typ) = 38ns 40-100kHz switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TC = 25 C to 150 C 600 V E (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-247 (IXGH) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH40N60C2, IXGH40N60C2D1, IXGH42N30C3, IXGH45N120, IXGH48N60A3, IXGH48N60A3D1, IXGH48N60B3, IXGH48N60B3C1, YGW60N65F1A1, IXGH48N60C3, IXGH48N60C3C1, IXGH48N60C3D1, IXGH4N250C, IXGH50N120C3, IXGH50N60B2, IXGH50N60B4, IXGH50N60B4D1