IXGH48N60C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH48N60C3D1

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 26 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 202 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 77 nC

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXGH48N60C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH48N60C3D1 даташит

 ..1. Size:201K  ixys
 ixgh48n60c3d1.pdf pdf_icon

IXGH48N60C3D1

VCES = 600V IXGH48N60C3D1 GenX3TM 600V IGBT IC110 = 48A with Diode VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 38ns High speed PT IGBT for 40-100kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V ( TAB ) IC25 TC = 25 C (Limited by Leads)

 3.1. Size:223K  ixys
 ixga48n60c3-ixgh48n60c3-ixgp48n60c3.pdf pdf_icon

IXGH48N60C3D1

IXGA48N60C3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGH48N60C3 IC110 = 48A IXGP48N60C3 VCE(sat) 2.5V High Speed PT IGBTs for tfi(typ) = 38ns 40-100kHz switching TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TC = 25 C to 150 C 600 V E (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V TO-247 (IXGH) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V I

 3.2. Size:240K  ixys
 ixgh48n60c3.pdf pdf_icon

IXGH48N60C3D1

GenX3TM 600V IGBTs IXGI48N60C3 VCES = 600V IXGA48N60C3 IC110 = 48A IXGP48N60C3 2.5V High-Speed PT IGBTs for VCE(sat) 40-100kHz Switching IXGH48N60C3 tfi(typ) = 38ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Features VGES Continuous 20 V Optimized for Low Switching Losses VGEM Tra

 3.3. Size:183K  ixys
 ixgh48n60c3c1.pdf pdf_icon

IXGH48N60C3D1

Preliminary Technical Information GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGH48N60C3C1 w/ SiC Anti-Parallel IC110 = 48A Diode VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 38ns High Speed PT IGBT for 40 - 100kHz Switching TO-247 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G C VGES Continuous 20 V E ( TAB ) VGEM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGH45N120, IXGH48N60A3, IXGH48N60A3D1, IXGH48N60B3, IXGH48N60B3C1, IXGH48N60B3D1, IXGH48N60C3, IXGH48N60C3C1, NGD8201N, IXGH4N250C, IXGH50N120C3, IXGH50N60B2, IXGH50N60B4, IXGH50N60B4D1, IXGH50N60C2, IXGH50N60C4, IXGH50N60C4D1