Справочник IGBT. IXGH50N90B2D1

 

IXGH50N90B2D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH50N90B2D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 205 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH50N90B2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
ixgh50n90b2d1.pdfpdf_icon

IXGH50N90B2D1

IXGH 50N90B2D1 VCES = 900 VHiPerFASTTMIXGK 50N90B2D1 IC25 = 75 AIGBT with FastIXGX 50N90B2D1 VCE(sat) = 2.7 VDiodetfi typ = 200 nsB2-Class High Speed IGBTwith Fast DiodePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transien

 ..2. Size:203K  ixys
ixgh50n90b2d1 ixgk50n90b2d1 ixgx50n90b2d1.pdfpdf_icon

IXGH50N90B2D1

IXGH 50N90B2D1 VCES = 900 VHiPerFASTTMIXGK 50N90B2D1 IC25 = 75 AIGBT with FastIXGX 50N90B2D1 VCE(sat) = 2.7 VDiodetfi typ = 200 nsB2-Class High Speed IGBTwith Fast DiodePreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transien

 3.1. Size:158K  ixys
ixgh50n90b2.pdfpdf_icon

IXGH50N90B2D1

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 50N90B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2VCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 200 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limit

 3.2. Size:162K  ixys
ixgh50n90b2 ixgt50n90b2.pdfpdf_icon

IXGH50N90B2D1

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 50N90B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2VCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 200 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limit

Другие IGBT... IXGH50N120C3 , IXGH50N60B2 , IXGH50N60B4 , IXGH50N60B4D1 , IXGH50N60C2 , IXGH50N60C4 , IXGH50N60C4D1 , IXGH50N90B2 , CRG60T60AK3HD , IXGH56N60A3 , IXGH56N60B3 , IXGH56N60B3D1 , IXGH60N30C3 , IXGH60N60B2 , IXGH60N60C2 , IXGH60N60C3 , IXGH60N60C3D1 .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.