Справочник IGBT. VBGN40N60

 

VBGN40N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VBGN40N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VBGN40N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1463K  cn vbsemi
 vbgn40n60.pdf pdf_icon

VBGN40N60

VBGN40N60www.VBsemi.comGeneral DescriptionVBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand Times 10us

 7.1. Size:1470K  cn vbsemi
 vbgn40n120.pdf pdf_icon

VBGN40N60

VBGN40N120www.VBsemi.comGeneral DescriptionVBsemi Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energyefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencyShort Circuit Withstand Times 10usExtremely enhanced

Другие IGBT... CT40TMH-8 , CT60AM-18B , CT60AM-18F , CT60AM-20 , CT75AM-12 , CY20AAJ-8 , CY25AAJ-8 , VBGN40N120 , GT30F133 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , DG10X12T2 .

History: DM2G150SH12AE | TT060U065FB | SPM1003 | APT15GT60KR

 

 
Back to Top

 


 
.