Справочник IGBT. IXGH64N60A3

 

IXGH64N60A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGH64N60A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 64(110°C) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH64N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  ixys
ixgh64n60a3.pdfpdf_icon

IXGH64N60A3

Preliminary Technical InformationIXGH64N60A3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGT64N60A3IC110 = 64AUltra-lowVsat PT IGBTs for up toVCE(sat) 1.35V5 kHz switchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC (TAB)CIC11

 5.1. Size:163K  ixys
ixgh64n60b3.pdfpdf_icon

IXGH64N60A3

Preliminary Technical InformationIXGH64N60B3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGT64N60B3IC110 = 64AMedium speed low Vsat PTVCE(sat) 1.8VIGBTs for 5 - 40kHz switchingtfi(typ) = 88nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXGH)VCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30

 9.1. Size:583K  ixys
ixgh60n60c2 ixgt60n60c2.pdfpdf_icon

IXGH64N60A3

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 60N60C2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AC2-Class High Speed IGBTs IXGT 60N60C2VCE(sat) = 2.5 Vtfi typ = 35 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limited by

 9.2. Size:163K  ixys
ixgh60n60c3.pdfpdf_icon

IXGH64N60A3

GenX3TM 600V VCES = 600VIXGH60N60C3IGBT IC110 = 60A VCE(sat) 2.5V tfi (typ) = 50nsHigh Speed PT IGBT for40-100kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Limited by Leads) 75 AG

Другие IGBT... IXGH56N60A3 , IXGH56N60B3 , IXGH56N60B3D1 , IXGH60N30C3 , IXGH60N60B2 , IXGH60N60C2 , IXGH60N60C3 , IXGH60N60C3D1 , GT30F125 , IXGH64N60B3 , IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , IXGH90N60B3 .

History: SPM1003 | APT15GT60KR | TT060U065FB | DM2G150SH12AE

 

 
Back to Top

 


 
.