IXGJ40N60C2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGJ40N60C2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGJ40N60C2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGJ40N60C2D1 даташит

 ..1. Size:168K  ixys
 ixgj40n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGJ40N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGT40N60C2D1 IC110 = 40A w/ Diode IXGJ40N60C2D1 VCE(SAT) 2.7V IXGH40N60C2D1 tfi(typ) = 32ns C2-Class High Speed IGBTs TO-268 (IXGT) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGJ) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V

Другие IGBT... IXGH6N170, IXGH6N170A, IXGH72N60A3, IXGH72N60B3, IXGH72N60C3, IXGH85N30C3, IXGH90N60B3, IXGI48N60C3, FGH30S130P, IXGJ50N60B, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, IXGK120N120A3, IXGK120N120B3, IXGK120N60A3, IXGK120N60B3, IXGK120N60C2