Справочник IGBT. IXGJ40N60C2D1

 

IXGJ40N60C2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGJ40N60C2D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
   Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGJ40N60C2D1

 

 

IXGJ40N60C2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  ixys
 ixgj40n60c2d1.pdf

IXGJ40N60C2D1 IXGJ40N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTsVCES = 600VIXGT40N60C2D1IC110 = 40Aw/ DiodeIXGJ40N60C2D1 VCE(SAT) 2.7V IXGH40N60C2D1tfi(typ) = 32nsC2-Class High Speed IGBTsTO-268 (IXGT)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-268 (IXGJ)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 V

Другие IGBT... IXGH6N170 , IXGH6N170A , IXGH72N60A3 , IXGH72N60B3 , IXGH72N60C3 , IXGH85N30C3 , IXGH90N60B3 , IXGI48N60C3 , IRG4PC50U , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXGK120N120B3 , IXGK120N60A3 , IXGK120N60B3 , IXGK120N60C2 .

 

 
Back to Top