IXGK120N120A3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGK120N120A3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 240 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 655 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXGK120N120A3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGK120N120A3 даташит
ixgk120n120a3.pdf
Preliminary Technical Information GenX3TM A3-Class VCES = 1200V IXGK120N120A3 IC110 = 120A IGBTs IXGX120N120A3 VCE(sat) 2.20V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V C (TAB) E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V PLUS 247T
ixgk120n120b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 1200V IXGK120N120B3 GenX3TM 1200V IGBTs IC90 = 120A IXGX120N120B3 VCE(sat) 3.0V High Speed Low Vsat PT IGBTs for 3-20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V C (TAB) E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V PLUS 247TM (IXG
ixgx120n120b3 ixgk120n120b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 1200V IXGK120N120B3 GenX3TM 1200V IGBTs IC90 = 120A IXGX120N120B3 VCE(sat) 3.0V High Speed Low Vsat PT IGBTs for 3-20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V C (TAB) E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V PLUS 247TM (IXG
ixgk120n60c2.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V HiPerFASTTM IGBT IXGK120N60C2 Lightspeed 2TM Series IC110 = 120A IXGX120N60C2 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 80ns TO-264(IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25
Другие IGBT... IXGH72N60C3, IXGH85N30C3, IXGH90N60B3, IXGI48N60C3, IXGJ40N60C2D1, IXGJ50N60B, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, SGT40N60FD2PT, IXGK120N120B3, IXGK120N60A3, IXGK120N60B3, IXGK120N60C2, IXGK28N140B3H1, IXGK320N60A3, IXGK320N60B3, IXGK35N120B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent










