Справочник IGBT. IXGK120N120B3

 

IXGK120N120B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGK120N120B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 88 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 670 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGK120N120B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  ixys
ixgk120n120b3.pdfpdf_icon

IXGK120N120B3

Advance Technical InformationVCES = 1200VIXGK120N120B3GenX3TM 1200V IGBTsIC90 = 120AIXGX120N120B3 VCE(sat) 3.0V High Speed Low Vsat PT IGBTsfor 3-20 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VC(TAB)EEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VPLUS 247TM (IXG

 ..2. Size:123K  ixys
ixgx120n120b3 ixgk120n120b3.pdfpdf_icon

IXGK120N120B3

Advance Technical InformationVCES = 1200VIXGK120N120B3GenX3TM 1200V IGBTsIC90 = 120AIXGX120N120B3 VCE(sat) 3.0V High Speed Low Vsat PT IGBTsfor 3-20 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VC(TAB)EEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VPLUS 247TM (IXG

 3.1. Size:215K  ixys
ixgk120n120a3.pdfpdf_icon

IXGK120N120B3

Preliminary Technical InformationGenX3TM A3-Class VCES = 1200VIXGK120N120A3IC110 = 120AIGBTsIXGX120N120A3 VCE(sat) 2.20V Ultra-Low Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VC(TAB)EEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VPLUS 247T

 6.1. Size:186K  ixys
ixgk120n60c2.pdfpdf_icon

IXGK120N120B3

Preliminary Technical InformationVCES = 600VHiPerFASTTM IGBT IXGK120N60C2Lightspeed 2TM Series IC110 = 120AIXGX120N60C2 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 80nsTO-264(IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC (TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25

Другие IGBT... IXGH85N30C3 , IXGH90N60B3 , IXGI48N60C3 , IXGJ40N60C2D1 , IXGJ50N60B , IXGJ50N60C4D1 , IXGK100N170 , IXGK120N120A3 , IXRH40N120 , IXGK120N60A3 , IXGK120N60B3 , IXGK120N60C2 , IXGK28N140B3H1 , IXGK320N60A3 , IXGK320N60B3 , IXGK35N120B , IXGK35N120BD1 .

History: IXSP15N120B | IXSH25N120AU1 | SKM200GAH123DKL | 1MBI300U2H-060L-50

 

 
Back to Top

 


 
.