IXGK50N60C2D1 - аналоги, параметры транзистора

IXGK50N60C2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGK50N60C2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF

Тип корпуса: TO264

Аналог (замена) для IXGK50N60C2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

IXGK50N60C2D1 даташит

..1. Size:628K ixys
ixgk50n60c2d1 ixgx50n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGK50N60C2D1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IXGX 50N60C2D1 IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.5 V C2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 48 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247 IC25 TC = 25

..2. Size:493K ixys
ixgk50n60c2d1.pdf pdf_icon

5.1. Size:494K ixys
ixgk50n60b2d1.pdf pdf_icon

Advance Technical Data IXGK50N60B2D1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IXGX 50N60B2D1 IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.0 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 65 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V PLUS247 IC25 TC = 25 C

5.2. Size:627K ixys
ixgk50n60b2d1 ixgx50n60b2d1.pdf pdf_icon