IXGK60N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGK60N60B2D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXGK60N60B2D1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGK60N60B2D1 даташит
ixgk60n60b2d1 ixgx60n60b2d1.pdf
Advance Technical Data IXGK60N60B2D1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IXGX 60N60B2D1 IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat)
ixgk60n60b2d1.pdf
Advance Technical Data IXGK60N60B2D1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IXGX 60N60B2D1 IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat)
ixgk60n60c2d1.pdf
IXGK 60N60C2D1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IXGX 60N60C2D1 IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.5 V C2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 35 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V PLUS247 IC25 TC = 25 C (limited by leads)
ixgh60n60 ixgk60n60 ixgt60n60.pdf
VCES = 600 V Ultra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60 IC25 = 75 A IXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 V IXGT 60N60 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A (IXGT) IC90 TC = 90 C60 A G E ICM TC = 25 C,
Другие IGBT... IXGK35N120CD1, IXGK400N30A3, IXGK50N120C3H1, IXGK50N60A2D1, IXGK50N60B2D1, IXGK50N60C2D1, IXGK50N90B2D1, IXGK55N120A3H1, IRGP4062D, IXGK60N60C2D1, IXGK64N60B3D1, IXGK72N60A3H1, IXGK72N60B3H1, IXGK75N250, IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, IXGL200N60B3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870





