IXGK60N60B2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGK60N60B2D1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 170 nC
Тип корпуса: TO264
Аналог (замена) для IXGK60N60B2D1
IXGK60N60B2D1 Datasheet (PDF)
ixgk60n60b2d1 ixgx60n60b2d1.pdf
Advance Technical DataIXGK60N60B2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 60N60B2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat)
ixgk60n60b2d1.pdf
Advance Technical DataIXGK60N60B2D1 VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 60N60B2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat)
ixgk60n60c2d1.pdf
IXGK 60N60C2D1VCES = 600 VHiPerFASTTMIXGX 60N60C2D1IC25 = 75 AIGBT with DiodeVCE(sat) = 2.5 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 35 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA(IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 V (TAB)GCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VPLUS247IC25 TC = 25C (limited by leads)
ixgh60n60 ixgk60n60 ixgt60n60.pdf
VCES = 600 VUltra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60IC25 = 75 AIXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 VIXGT 60N60Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268IC25 TC = 25C, limited by leads 75 A(IXGT)IC90 TC = 90C60 AGEICM TC = 25C,
ixgk60n60.pdf
VCES = 600 VUltra-Low VCE(sat) IGBT IXGH 60N60IC25 = 75 AIXGK 60N60 VCE(sat) = 1.7 VIXGT 60N60Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 AD (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268IC25 TC = 25C, limited by leads 75 A(IXGT)IC90 TC = 90C60 AGEICM TC = 25C,
Другие IGBT... IXGK35N120CD1 , IXGK400N30A3 , IXGK50N120C3H1 , IXGK50N60A2D1 , IXGK50N60B2D1 , IXGK50N60C2D1 , IXGK50N90B2D1 , IXGK55N120A3H1 , FGW75N60HD , IXGK60N60C2D1 , IXGK64N60B3D1 , IXGK72N60A3H1 , IXGK72N60B3H1 , IXGK75N250 , IXGK82N120A3 , IXGK82N120B3 , IXGL200N60B3 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2