IXGN200N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGN200N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 83 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1260 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXGN200N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN200N60B3 даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 ixgn200n60b3.pdf pdf_icon

IXGN200N60B3

VCES = 600V IXGN200N60B3 GenX3TM 600V IGBT IC110 = 200A VCE(sat) 1.50V Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 5-40kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 E Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V C IC25 TC = 25 C 300 A IC110 TC

 3.1. Size:559K  ixys
 ixgn200n60b.pdf pdf_icon

IXGN200N60B3

IXGN 200N60B VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 200 A VCE(sat) = 2.1 V E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 200 A C IL Terminal Current Limit 100 A IC90 TC = 90 C 120 A G = Gate, C = Collector, E = Emitter

 4.1. Size:553K  ixys
 ixgn200n60a2.pdf pdf_icon

IXGN200N60B3

IXGN 200N60A2 VCES = 600 V IGBT IC25 = 200 A Optimized for Switching VCE(sat) = 1.35 V up to 5 kHz Preliminary Data Sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 200 A C IC110 TC = 110 C 100 A ICM TC = 25 C,

 4.2. Size:131K  ixys
 ixgn200n60 ixgn200n60a.pdf pdf_icon

IXGN200N60B3

HiPerFASTTM IGBT VCES IC25 VCE(sat) IXGN 200N60 600 V 200 A 2.5 V IXGN 200N60A 600 V 200 A 2.7 V E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C 200 A C IC90 TC = 90 C 100 A ICM TC = 25 C, 1 ms 300 A G = Gate, C = Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGK82N120A3, IXGK82N120B3, IXGL200N60B3, IXGL75N250, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, FGPF4536, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3