IXGN400N60A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGN400N60A3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.05 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 95 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1450 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 870 nC
Тип корпуса: SOT227B
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGN400N60A3 Datasheet (PDF)
ixgn400n60a3.pdf

VCES = 600VIXGN400N60A3GenX3TM 600V IGBTIC25 = 400AVCE(sat) 1.25VUltra-Low-Vsat PT IGBT forup to 5kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capability) 400 A E
ixgn400n60b3.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 600VIXGN400N60B3GenX3TM 600V IGBTIC25 = 430AVCE(sat) 1.40VMedium-Speed Low-Vsat PTIGBT for 5-40 kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V
ixgn400n30a3.pdf

VCES = 300VIXGN400N30A3GenX3TM 300V IGBTIC25 = 400AVCE(sat) 1.15VUltra-Low-Vsat PT IGBT forup to 10kHz SwitchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 300 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C (Chip Capability) 400 A E
Другие IGBT... IXGL75N250 , IXGN100N170 , IXGN120N60A3 , IXGN120N60A3D1 , IXGN200N60A2 , IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , FGH60N60SMD , IXGN400N60B3 , IXGN50N120C3H1 , IXGN60N60C2 , IXGN60N60C2D1 , IXGN72N60A3 , IXGN72N60C3H1 , IXGN82N120B3H1 , IXGN82N120C3H1 .
History: APT12GT60KRG | 1MBI3600U4D-120 | MPBP15N65EF | IKD10N60RA | IKW40N65H5 | IRGPS66160D
History: APT12GT60KRG | 1MBI3600U4D-120 | MPBP15N65EF | IKD10N60RA | IKW40N65H5 | IRGPS66160D



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l