IXGN400N60A3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGN400N60A3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.05 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 95 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1450 pF
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXGN400N60A3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGN400N60A3 даташит
ixgn400n60a3.pdf
VCES = 600V IXGN400N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 400A VCE(sat) 1.25V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 5kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 400 A E
ixgn400n60b3.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V IXGN400N60B3 GenX3TM 600V IGBT IC25 = 430A VCE(sat) 1.40V Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 5-40 kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V
ixgn400n30a3.pdf
VCES = 300V IXGN400N30A3 GenX3TM 300V IGBT IC25 = 400A VCE(sat) 1.15V Ultra-Low-Vsat PT IGBT for up to 10kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 400 A E
Другие IGBT... IXGL75N250, IXGN100N170, IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, RJP30H2A, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l



