IXGN50N120C3H1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGN50N120C3H1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 95 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.2(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 455 pF
Тип корпуса: SOT227B
Аналог (замена) для IXGN50N120C3H1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGN50N120C3H1 даташит
ixgn50n120c3h1.pdf
Advance Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IXGN50N120C3H1 IC110 = 50A IGBT w/ Diode VCE(sat) 4.2V High-Speed PT IGBT for 20-50 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E
ixgn50n60bd3 ixgn50n60bd2.pdf
IXGN 50N60BD2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60BD3 IC25 = 75 A with HiPerFRED VCE(sat) = 2.5 V tfi = 150 ns Buck & boost configurations ...BD2 ...BD3 Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B, miniBLOC E 153432 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C75 A 3 IC90
ixgn50n60b.pdf
HiPerFASTTM IGBT IXGN 50N60B VCES = 600 V IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.3 V tfi(typ) = 120ns Preliminary data sheet E Symbol Test Conditions Maximum Ratings SOT-227B miniBLOC E153432 E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C75 A C IC90 TC = 90 C50 A G = Gate, C = Collector
Другие IGBT... IXGN120N60A3, IXGN120N60A3D1, IXGN200N60A2, IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, FGA25N120ANTD, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, IXGN72N60A3, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1, IXGP12N120A2, IXGP12N120A3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet



