Справочник IGBT. IXGP16N60C2D1

 

IXGP16N60C2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGP16N60C2D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP16N60C2D1

 

 

IXGP16N60C2D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  ixys
 ixgp16n60c2d1.pdf

IXGP16N60C2D1 IXGP16N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60C2D1C2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60C2D1w/ Diode VCE(sat) 3.0VIXGH16N60C2D1tfi(typ) = 33nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCC

 3.1. Size:197K  ixys
 ixgp16n60c2.pdf

IXGP16N60C2D1 IXGP16N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60C2C2-Class IC110 = 16AIXGP16N60C2High Speed VCE(sat) 3.0Vtfi(typ) = 33nsTO-263 AA (IXGA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VTO-220AB (IXGP)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC110 TC = 110

 5.1. Size:221K  ixys
 ixgp16n60b2.pdf

IXGP16N60C2D1 IXGP16N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2VCE(sat) 2.3Vtfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TJ = 25C to 150C 600 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VTO-220AB (IXGP)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 AIC110 TC = 110

 5.2. Size:214K  ixys
 ixgp16n60b2d1.pdf

IXGP16N60C2D1 IXGP16N60C2D1

HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600VIXGA16N60B2D1B2-Class High Speed IC110 = 16AIXGP16N60B2D1w/ Diode VCE(sat) 2.3VIXGH16N60B2D1tfi(typ) = 70nsTO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (

Другие IGBT... IXGP12N120A3 , IXGP12N60B , IXGP14N120B , IXGP15N120B2 , IXGP15N120C , IXGP16N60B2 , IXGP16N60B2D1 , IXGP16N60C2 , MBQ50T65FDSC , IXGP20N100A3 , IXGP20N120 , IXGP20N120A3 , IXGP20N120B3 , IXGP24N120C3 , IXGP24N60C , IXGP24N60C4 , IXGP24N60C4D1 .

 

 
Back to Top