IXGP20N120A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP20N120A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP20N120A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP20N120A3 даташит

 ..1. Size:236K  ixys
 ixga20n120a3 ixgh20n120a3 ixgp20n120a3.pdf pdf_icon

IXGP20N120A3

VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G

 ..2. Size:234K  ixys
 ixgp20n120a3.pdf pdf_icon

IXGP20N120A3

VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBTs IXGA20N120A3 IC110 = 20A IXGP20N120A3 VCE(sat) 2.5V IXGH20N120A3 Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 3 kHz Switching TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G

 4.1. Size:69K  ixys
 ixgp20n120.pdf pdf_icon

IXGP20N120A3

VCES = 1200 V IXGA 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGP 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-263 AA (IXGA) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A SSOA VGE = 15 V, T

 4.2. Size:212K  ixys
 ixga20n120b3 ixgp20n120b3.pdf pdf_icon

IXGP20N120A3

Preliminary Technical Information VCES = 1200V GenX3TM 1200V IGBT IXGA20N120B3 IC90 = 20A IXGP20N120B3 VCE(sat) 3.1V High Speed Low Vsat PT IGBTs 3-20 kHz Switching TO-263 (IXGA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E C (TAB) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V TO-220 (IXGP) VGES Continuous 20 V VGEM Trans

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGP15N120B2, IXGP15N120C, IXGP16N60B2, IXGP16N60B2D1, IXGP16N60C2, IXGP16N60C2D1, IXGP20N100A3, IXGP20N120, IRG7R313U, IXGP20N120B3, IXGP24N120C3, IXGP24N60C, IXGP24N60C4, IXGP24N60C4D1, IXGP2N100, IXGP2N100A, IXGP30N120B3