Справочник IGBT. DG10X12T2

 

DG10X12T2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG10X12T2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DG10X12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:474K  cn starpower
 dg10x12t2.pdf pdf_icon

DG10X12T2

DG10X12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG10X12T2 1200V/10A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 10s short circuit capability Low switching loss

 9.1. Size:342K  cn starpower
 dg10x06t1.pdf pdf_icon

DG10X12T2

DG10X06T1 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG10X06T1 600V/10A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Другие IGBT... VBGN40N60 , VBGN50N60 , VBGT15N120 , VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , IKW50N60T , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P .

History: MGP7N60ED

 

 
Back to Top

 


 
.