Справочник IGBT. IXGP50N60C4

 

IXGP50N60C4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGP50N60C4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 90 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 66 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP50N60C4

 

 

IXGP50N60C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  ixys
 ixgp50n60c4.pdf

IXGP50N60C4 IXGP50N60C4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60C4IC110 = 46AIXGP50N60C4 VCE(sat) 2.3V IXGH50N60C4High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C

 5.1. Size:218K  ixys
 ixgp50n60b4.pdf

IXGP50N60C4 IXGP50N60C4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60B4IC110 = 50AIXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C 1

Другие IGBT... IXGP30N60C3D4 , IXGP36N60A3 , IXGP42N30C3 , IXGP48N60A3 , IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IXGP50N60B4 , TGAN20N135FD , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , SL75T120FZ , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 .

 

 
Back to Top