IXGQ50N60B4D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGQ50N60B4D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для IXGQ50N60B4D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGQ50N60B4D1 даташит

 ..1. Size:198K  ixys
 ixgq50n60b4d1.pdf pdf_icon

IXGQ50N60B4D1

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGH50N60B4D1 IC110 = 50A w/Diode IXGQ50N60B4D1 VCE(sat) 1.8V Low-Vsat PT Trench IGBTs TO-247 (IXGH) G C Tab E Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXGQ) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C 100 A Tab IC

 5.1. Size:196K  ixys
 ixgq50n60c4d1.pdf pdf_icon

IXGQ50N60B4D1

Другие IGBT... IXGP48N60C3, IXGP4N100, IXGP50N60B4, IXGP50N60C4, IXGP7N60BD1, IXGP7N60CD1, IXGQ20N120B, SL75T120FZ, FGH75T65UPD, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B, IXGR120N60C2, IXGR12N60C, IXGR16N170AH1, IXGR24N120C3D1, IXGR24N60C, IXGR32N170AH1