Справочник IGBT. IXGQ50N60B4D1

 

IXGQ50N60B4D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGQ50N60B4D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для IXGQ50N60B4D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGQ50N60B4D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixgq50n60b4d1.pdf pdf_icon

IXGQ50N60B4D1

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGH50N60B4D1IC110 = 50Aw/Diode IXGQ50N60B4D1 VCE(sat) 1.8V Low-Vsat PT Trench IGBTsTO-247 (IXGH)GC TabESymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-3P (IXGQ)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C 100 ATabIC

 5.1. Size:196K  ixys
 ixgq50n60c4d1.pdf pdf_icon

IXGQ50N60B4D1

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGQ50N60C4D1IC110 = 46Aw/ Diode IXGH50N60C4D1 VCE(sat) 2.3V High-Speed PT Trench IGBTsTO-3P (IXGQ)GCESymbol Test Conditions Maximum RatingsTabVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-247 (IXGH)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 90 AIC110 TC = 110

Другие IGBT... IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , SL75T120FZ , TGAN20N135FD , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B , IXGR120N60C2 , IXGR12N60C , IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C , IXGR32N170AH1 .

 

 
Back to Top

 


 
.