Справочник IGBT. DG15X12T2

 

DG15X12T2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DG15X12T2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для DG15X12T2

 

 

DG15X12T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  cn starpower
 dg15x12t2.pdf

DG15X12T2 DG15X12T2

DG15X12T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG15X12T2 1200V/15A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Trench IGBT technology 10s short circuit capability Low switching loss

 9.1. Size:339K  cn starpower
 dg15x06t1.pdf

DG15X12T2 DG15X12T2

DG15X06T1 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG15X06T1 600V/15A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Другие IGBT... VBGT15N120P , VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , RJH3047 , DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W .

 

 
Back to Top