IXGR40N60C2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGR40N60C2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 56 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXGR40N60C2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGR40N60C2D1 даташит

 ..1. Size:173K  ixys
 ixgr40n60c2d1.pdf pdf_icon

IXGR40N60C2D1

IXGR 40N60C2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 A ISOPLUS247TM VCE(SAT) = 2.7 V C2-Class High Speed IGBTs tfi(typ = 32 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet ISOPLUS 247TM (IXGR) IXGR_C2 IXGR_C2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C ISOLATED TAB E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VG

 3.1. Size:173K  ixys
 ixgr40n60c2.pdf pdf_icon

IXGR40N60C2D1

IXGR 40N60C2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 A ISOPLUS247TM VCE(SAT) = 2.7 V C2-Class High Speed IGBTs tfi(typ = 32 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet ISOPLUS 247TM (IXGR) IXGR_C2 IXGR_C2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C ISOLATED TAB E VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VG

 4.1. Size:510K  ixys
 ixgr40n60cd1.pdf pdf_icon

IXGR40N60C2D1

VCES = 600 V IXGR 40N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGR 40N60CD1 ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.7 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 75 ns Preliminary Data Sheet (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E Isolated Back

 4.2. Size:510K  ixys
 ixgr40n60c.pdf pdf_icon

IXGR40N60C2D1

VCES = 600 V IXGR 40N60C HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGR 40N60CD1 ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.7 V (Electrically Isolated Backside) tfi(typ) = 75 ns Preliminary Data Sheet (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C E Isolated Back

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR35N120C, IXGR39N60B, IXGR39N60BD1, IXGR40N60B, IXGR40N60B2, IXGR40N60B2D1, IXGR40N60C, IXGR40N60C2, TGD30N40P, IXGR40N60CD1, IXGR48N60B3, IXGR48N60B3D1, IXGR48N60C3D1, IXGR50N160H1, IXGR50N60A2U1, IXGR50N60B, IXGR50N60B2