IXGR40N60C2D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR40N60C2D1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 56 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXGR40N60C2D1
IXGR40N60C2D1 Datasheet (PDF)
ixgr40n60c2d1.pdf
IXGR 40N60C2 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 AISOPLUS247TMVCE(SAT) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ = 32 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetISOPLUS 247TM(IXGR)IXGR_C2 IXGR_C2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCISOLATED TABEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVG
ixgr40n60c2.pdf
IXGR 40N60C2 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 AISOPLUS247TMVCE(SAT) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ = 32 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetISOPLUS 247TM(IXGR)IXGR_C2 IXGR_C2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCISOLATED TABEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVG
ixgr40n60cd1.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60CHiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGR 40N60CD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.7 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 75 nsPreliminary Data Sheet(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Back
ixgr40n60c.pdf
VCES = 600 VIXGR 40N60CHiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGR 40N60CD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.7 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 75 nsPreliminary Data Sheet(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Back
Другие IGBT... IXGR35N120C , IXGR39N60B , IXGR39N60BD1 , IXGR40N60B , IXGR40N60B2 , IXGR40N60B2D1 , IXGR40N60C , IXGR40N60C2 , RJP6065DPM , IXGR40N60CD1 , IXGR48N60B3 , IXGR48N60B3D1 , IXGR48N60C3D1 , IXGR50N160H1 , IXGR50N60A2U1 , IXGR50N60B , IXGR50N60B2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2