IXGR48N60B3 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

IXGR48N60B3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: IXGR48N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 115 nC
   Тип корпуса: ISOPLUS247

Аналог (замена) для IXGR48N60B3

IXGR48N60B3 Datasheet (PDF)

..1. Size:96K ixys
ixgr48n60b3.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBTsIXGR48N60B3IC25 = 60A IXGR48N60B3D1(Electrically Isolated BackVCE(sat) 2.1VSurface)tfi(typ) = 116nsMedium-Speed Low-Vsat PTIGBTs 5-40 kHz SwitchingISOPLUS247TM IXGR_B3 IXGR_B3D1E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150

0.1. Size:96K ixys
ixgr48n60b3d1.pdf

5.1. Size:205K ixys
ixgr48n60c3d1.pdf

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600VIXGR48N60C3D1with Diode IC25 = 56AVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 38nsHigh Speed PT IGBTs for40-100kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC

9.1. Size:53K ixys
ixgr40n60b.pdf

VCES = 600 VIXGR 40N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGR 40N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.1 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247VCES TJ = 25C to 150C 600 VE153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 70 A CE Isolated Backsi

9.2. Size:510K ixys
ixgr40n60cd1.pdf

VCES = 600 VIXGR 40N60CHiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGR 40N60CD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.7 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 75 nsPreliminary Data Sheet(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCE Isolated Back

9.3. Size:499K ixys
ixgr40n60b2d1.pdf

VCES = 600 VIXGR 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60B2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 1.9 VC2-Class High Speed IGBTstfi typ = 82 ns(Electrically Isolated Back Surface)Optimized for 10-25 KHz hard switchingand up to 150 KHz resonant switchingPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VV

9.4. Size:499K ixys
ixgr40n60b2.pdf

9.5. Size:173K ixys
ixgr40n60c2.pdf

IXGR 40N60C2 VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 40N60C2D1 IC25 = 56 AISOPLUS247TMVCE(SAT) = 2.7 VC2-Class High Speed IGBTstfi(typ = 32 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetISOPLUS 247TM(IXGR)IXGR_C2 IXGR_C2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 600 VCISOLATED TABEVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVG

9.6. Size:173K ixys
ixgr40n60c2d1.pdf