IXGR48N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR48N60B3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGR48N60B3 Datasheet (PDF)
ixgr48n60b3.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBTsIXGR48N60B3IC25 = 60A IXGR48N60B3D1(Electrically Isolated BackVCE(sat) 2.1VSurface)tfi(typ) = 116nsMedium-Speed Low-Vsat PTIGBTs 5-40 kHz SwitchingISOPLUS247TM IXGR_B3 IXGR_B3D1E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150
ixgr48n60b3d1.pdf

Preliminary Technical InformationVCES = 600VGenX3TM 600V IGBTsIXGR48N60B3IC25 = 60A IXGR48N60B3D1(Electrically Isolated BackVCE(sat) 2.1VSurface)tfi(typ) = 116nsMedium-Speed Low-Vsat PTIGBTs 5-40 kHz SwitchingISOPLUS247TM IXGR_B3 IXGR_B3D1E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150
ixgr48n60c3d1.pdf

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600VIXGR48N60C3D1with Diode IC25 = 56AVCE(sat) 2.7V(Electrically Isolated Back Surface)tfi(typ) = 38nsHigh Speed PT IGBTs for40-100kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC
ixgr40n60b.pdf

VCES = 600 VIXGR 40N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGR 40N60BD1ISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.1 V(Electrically Isolated Backside)tfi(typ) = 180 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS 247VCES TJ = 25C to 150C 600 VE153432VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC = 25C 70 A CE Isolated Backsi
Другие IGBT... IXGR39N60BD1 , IXGR40N60B , IXGR40N60B2 , IXGR40N60B2D1 , IXGR40N60C , IXGR40N60C2 , IXGR40N60C2D1 , IXGR40N60CD1 , SGT60U65FD1PT , IXGR48N60B3D1 , IXGR48N60C3D1 , IXGR50N160H1 , IXGR50N60A2U1 , IXGR50N60B , IXGR50N60B2 , IXGR50N60B2D1 , IXGR50N60BD1 .
History: IXYH50N65C3D1 | GT80J101 | APTLGF210U120T | SGT20T60SD1T | MMG150S120B6TN | BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2
History: IXYH50N65C3D1 | GT80J101 | APTLGF210U120T | SGT20T60SD1T | MMG150S120B6TN | BLG40T120FUH-F | APTGF25X120E2



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent