IXGR60N60B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR60N60B2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGR60N60B2 Datasheet (PDF)
ixgr60n60b2.pdf

Advance Technical DataIXGR 60N60B2VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 60N60B2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.0 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 100 ns(Electrically Isolated Back Surface)D1Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXGR) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VC(ISOLAT
ixgr60n60b2d1.pdf

Advance Technical DataIXGR 60N60B2VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 60N60B2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.0 VB2-Class High Speed IGBTstfi(typ) = 100 ns(Electrically Isolated Back Surface)D1Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247(IXGR) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VC(ISOLAT
ixgr60n60u1.pdf

VCES = 600 VLow VCE(sat) IGBT IXGR 60N60U1IC25 = 75 Awith DiodeVCE(sat) = 1.7 VISOPLUS247TM(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247TMVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25C 75 A EIsolated back surface*IC100
ixgr60n60c2.pdf

IXGR 60N60C2VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBTIXGR 60N60C2D1IC25 = 75 AISOPLUS247TMVCE(sat) = 2.7 VLightspeed 2TM Seriestfi(typ) = 35 ns(Electrically Isolated Back Surface)Preliminary Data SheetIXGR_C2 IXGR_C2D1Symbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS247VCES TJ = 25C to 150C 600 V (IXGR)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC(ISOLATED TAB)VGES Conti
Другие IGBT... IXGR50N60B , IXGR50N60B2 , IXGR50N60B2D1 , IXGR50N60BD1 , IXGR50N60C2 , IXGR50N60C2D1 , IXGR50N90B2D1 , IXGR55N120A3H1 , IHW15N120R3 , IXGR60N60B2D1 , IXGR60N60C2 , IXGR60N60C2C1 , IXGR60N60C2D1 , IXGR60N60C3C1 , IXGR60N60C3D1 , IXGR64N60A3 , IXGR6N170A .
History: YGW50N65T1 | YGW75N65T1 | YGW60N65T1 | BLQG3040A-D | IXGN60N60C2D1
History: YGW50N65T1 | YGW75N65T1 | YGW60N65T1 | BLQG3040A-D | IXGN60N60C2D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent