Справочник IGBT. IXGT16N170

 

IXGT16N170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT16N170
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT16N170 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ixys
ixgt16n170 ixgh16n170.pdfpdf_icon

IXGT16N170

IXGH 16N170 VCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170 IC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 3.5 VTO-268 (D3-Pak) (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 (IXGH)IC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AC (TAB)SSOA VG

 0.1. Size:165K  ixys
ixgt16n170ah1.pdfpdf_icon

IXGT16N170

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T

 0.2. Size:165K  ixys
ixgt16n170a.pdfpdf_icon

IXGT16N170

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T

 9.1. Size:60K  ixys
ixgt15n120bd1.pdfpdf_icon

IXGT16N170

Low VCE(sat) IGBT with Diode VDSS IC25 VCE(sat)High Speed IGBT with DiodeIXGH/IXGT 15N120BD11200 V 30 A 3.2 VIXGH/IXGT 15N120CD11200 V 30 A 3.8 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VGVGES Continuous 20 V CETABVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C30 ATO-2

Другие IGBT... IXGR72N60A3 , IXGR72N60A3H1 , IXGR72N60B3D1 , IXGR72N60B3H1 , IXGR72N60C3D1 , IXGT10N170 , IXGT10N170A , IXGT15N120B2D1 , RJP30E2DPP-M0 , IXGT16N170A , IXGT16N170AH1 , IXGT20N120 , IXGT20N120B , IXGT20N140C3H1 , IXGT22N170 , IXGT24N170 , IXGT24N170A .

History: IXGC16N60B2 | AFGHL50T65SQDC | IKQ100N60TA | TGAN30N135FD1 | DAZF075G120SCA | STGW15H120DF2 | IXGH28N60B3D1

 

 
Back to Top

 


 
.