IXGT16N170 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGT16N170
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF
Тип корпуса: TO268
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGT16N170 Datasheet (PDF)
ixgt16n170 ixgh16n170.pdf

IXGH 16N170 VCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170 IC25 = 32 AIGBTVCE(sat) = 3.5 VTO-268 (D3-Pak) (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 (IXGH)IC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AICM TC = 25C, 1 ms 80 AC (TAB)SSOA VG
ixgt16n170ah1.pdf

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T
ixgt16n170a.pdf

IXGH 16N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 16N170AIC25 = 16 AIGBTIXGH 16N170AH1VCE(sat) = 5.0 VIXGT 16N170AH1tfi(typ) = 70 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsH1VCES TJ = 25C to 150C 1700 VTO-268 (IXGT)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGEIC25 TC = 25C16 AC (TAB)IC90 T
ixgt15n120bd1.pdf

Low VCE(sat) IGBT with Diode VDSS IC25 VCE(sat)High Speed IGBT with DiodeIXGH/IXGT 15N120BD11200 V 30 A 3.2 VIXGH/IXGT 15N120CD11200 V 30 A 3.8 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VGVGES Continuous 20 V CETABVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C30 ATO-2
Другие IGBT... IXGR72N60A3 , IXGR72N60A3H1 , IXGR72N60B3D1 , IXGR72N60B3H1 , IXGR72N60C3D1 , IXGT10N170 , IXGT10N170A , IXGT15N120B2D1 , RJP30E2DPP-M0 , IXGT16N170A , IXGT16N170AH1 , IXGT20N120 , IXGT20N120B , IXGT20N140C3H1 , IXGT22N170 , IXGT24N170 , IXGT24N170A .
History: IXGC16N60B2 | AFGHL50T65SQDC | IKQ100N60TA | TGAN30N135FD1 | DAZF075G120SCA | STGW15H120DF2 | IXGH28N60B3D1
History: IXGC16N60B2 | AFGHL50T65SQDC | IKQ100N60TA | TGAN30N135FD1 | DAZF075G120SCA | STGW15H120DF2 | IXGH28N60B3D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
tip29 transistor equivalent | 2n555 | 2sa564a | c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394