IXGT28N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGT28N60BD1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 170 pF
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXGT28N60BD1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGT28N60BD1 даташит
ixgh28n60bd1 ixgt28n60bd1.pdf
Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V E VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 8
ixgt28n60bd1.pdf
Low VCE(sat) IXGH 28N60BD1 VCES = 600 V IGBT with Diode IXGT 28N60BD1 IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Combi Pack Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A
ixgt28n60b.pdf
Low VCE(sat) IGBT IXGH 28N60B VCES = 600 V IXGT 28N60B IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.0 V Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C40 A (IXGH) IC90 TC = 90 C28 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A C (TAB) SSOA VGE = 15 V,
ixgh28n30b ixgt28n30b.pdf
IXGH 28N30B VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IXGT 28N30B IC25 = 56 A VCE(sat)typ = 2.1 V tfi(typ) = 55 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C56 A TO-268 IC90 TC = 90 C28 A (IXGT) ICM TC = 25 C, 1 ms 112 A G SSOA VGE= 15 V, TV
Другие IGBT... IXGT22N170, IXGT24N170, IXGT24N170A, IXGT24N170AH1, IXGT25N160, IXGT25N250, IXGT28N120B, IXGT28N120BD1, SGT60N60FD1P7, IXGT2N250, IXGT30N120B3D1, IXGT30N60B, IXGT30N60B2, IXGT30N60B2D1, IXGT30N60C2, IXGT30N60C2D1, IXGT30N60C3D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388










