Справочник IGBT. IXGT40N60B2

 

IXGT40N60B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT40N60B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT40N60B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:575K  ixys
 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

 ..2. Size:578K  ixys
 ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 40N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AIXGT 40N60B2VCE(sat)

 0.1. Size:513K  ixys
 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

 0.2. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2

VCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1IC25 = 75 AIXGT 40N60B2D1VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT32N90B2D1 , IXGT35N120B , IXGT35N120C , IXGT39N60B , IXGT39N60BD1 , IXGT40N120A2 , IXGT40N120B2D1 , IXGT40N60B , NGD8201N , IXGT40N60B2D1 , IXGT40N60C , IXGT40N60C2 , IXGT40N60C2D1 , IXGT45N120 , IXGT4N250C , IXGT50N60B2 , IXGT50N60C2 .

History: MMG200D120B6TC | APTGT75DA120D1 | AOB30B65LN2V

 

 
Back to Top

 


 
.