IXGT40N60B2 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IXGT40N60B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT40N60B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXGT40N60B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:575K ixys
ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

..2. Size:578K ixys
ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

0.1. Size:513K ixys
ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

0.2. Size:606K ixys
ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)