IXGT40N60B2D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT40N60B2D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT40N60B2D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT40N60B2D1 даташит

 ..1. Size:513K  ixys
 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2D1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

 ..2. Size:606K  ixys
 ixgh40n60b2d1 ixgt40n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2D1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N60B2D1 IC25 = 75 A IXGT 40N60B2D1 VCE(sat)

 3.1. Size:575K  ixys
 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

 3.2. Size:578K  ixys
 ixgh40n60b2 ixgt40n60b2.pdf pdf_icon

IXGT40N60B2D1

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 40N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60B2 VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT35N120B, IXGT35N120C, IXGT39N60B, IXGT39N60BD1, IXGT40N120A2, IXGT40N120B2D1, IXGT40N60B, IXGT40N60B2, SGP30N60, IXGT40N60C, IXGT40N60C2, IXGT40N60C2D1, IXGT45N120, IXGT4N250C, IXGT50N60B2, IXGT50N60C2, IXGT50N90B2