IXGT50N90B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT50N90B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT50N90B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT50N90B2 даташит

 ..1. Size:162K  ixys
 ixgh50n90b2 ixgt50n90b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

Advance Technical Information VCES = 900 V IXGH 50N90B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A B2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2 VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 200 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 900 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 IC25 TC = 25 C (limit

 ..2. Size:158K  ixys
 ixgt50n90b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

Advance Technical Information VCES = 900 V IXGH 50N90B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A B2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2 VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 200 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 900 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 IC25 TC = 25 C (limit

 7.1. Size:583K  ixys
 ixgt50n60b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

VCES = 600 V IXGH 50N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A B2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N60B2 VCE(sat) = 2.0 V tfi typ = 65 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A (IXGT) IC11

 7.2. Size:585K  ixys
 ixgh50n60b2 ixgt50n60b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

VCES = 600 V IXGH 50N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A B2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N60B2 VCE(sat) = 2.0 V tfi typ = 65 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V C (TAB) VGES Continuous 20 V G C VGEM Transient 30 V E TO-268 IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A (IXGT) IC11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT40N60B2D1, IXGT40N60C, IXGT40N60C2, IXGT40N60C2D1, IXGT45N120, IXGT4N250C, IXGT50N60B2, IXGT50N60C2, CRG75T60AK3HD, IXGT60N60B2, IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IXGT6N170, IXGT6N170A, IXGT72N60A3