Справочник IGBT. IXGT50N90B2

 

IXGT50N90B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT50N90B2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 180 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT50N90B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ixys
 ixgh50n90b2 ixgt50n90b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 50N90B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2VCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 200 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limit

 ..2. Size:158K  ixys
 ixgt50n90b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

Advance Technical InformationVCES = 900 VIXGH 50N90B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N90B2VCE(sat) = 2.7 Vtfi typ = 200 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 900 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 900 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limit

 7.1. Size:583K  ixys
 ixgt50n60b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

VCES = 600 VIXGH 50N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N60B2VCE(sat) = 2.0 Vtfi typ = 65 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limited by leads) 75 A (IXGT)IC11

 7.2. Size:585K  ixys
 ixgh50n60b2 ixgt50n60b2.pdf pdf_icon

IXGT50N90B2

VCES = 600 VIXGH 50N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 75 AB2-Class High Speed IGBTs IXGT 50N60B2VCE(sat) = 2.0 Vtfi typ = 65 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VC (TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VETO-268IC25 TC = 25C (limited by leads) 75 A (IXGT)IC11

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT40N60B2D1 , IXGT40N60C , IXGT40N60C2 , IXGT40N60C2D1 , IXGT45N120 , IXGT4N250C , IXGT50N60B2 , IXGT50N60C2 , TGPF30N43P , IXGT60N60B2 , IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 .

History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003

 

 
Back to Top

 


 
.