IXGT6N170A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGT6N170A
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 7(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 18.5 nC
Тип корпуса: TO268
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGT6N170A Datasheet (PDF)
ixgt6n170a ixgh6n170a.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGT6N170AIC25 = 6AIGBT IXGH6N170AVCE(sat) 7.0Vtfi(typ) = 32nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TC = 25C to 150C 1700 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 6 AIC110 TC
ixgt6n170a.pdf

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VCES = 1700VIXGH6N170AIGBTsIC25 = 6AIXGT6N170A VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGC C (TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (IXGT)IC25 TC = 25C 6 A
ixgt6n170ahv.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VCES = 1700VIXGT6N170AHVIC25 = 6AIGBTVCE(sat) 7.0Vtfi(typ) = 32nsTO-268GESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VG = Gate C = CollectorVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VE = Emiiter Tab = CollectorVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC
ixgt6n170 ixgh6n170.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGT6N170IC90 = 6AIGBT IXGH6N170VCE(sat) 4.0Vtfi(typ) = 290nsTO-268 (IXGT)Symbol Test Conditions Maximum Ratings GEVCES TC = 25C to 150C 1700 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 12 AIC90 TC =
Другие IGBT... IXGT50N60C2 , IXGT50N90B2 , IXGT60N60B2 , IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , GT30G122 , IXGT72N60A3 , IXGT72N60B3 , IXGV25N250S , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 .
History: IXGX100N170 | IXDR35N60BD1
History: IXGX100N170 | IXDR35N60BD1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678