IXGT6N170A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT6N170A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 6 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 7(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 20 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT6N170A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT6N170A даташит

 ..1. Size:197K  ixys
 ixgt6n170a ixgh6n170a.pdf pdf_icon

IXGT6N170A

VCES = 1700V High Voltage IXGT6N170A IC25 = 6A IGBT IXGH6N170A VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V TO-247 (IXGH) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 6 A IC110 TC

 ..2. Size:189K  ixys
 ixgt6n170a.pdf pdf_icon

IXGT6N170A

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH6N170A IGBTs IC25 = 6A IXGT6N170A VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C C (TAB) E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-268 (IXGT) IC25 TC = 25 C 6 A

 0.1. Size:197K  ixys
 ixgt6n170ahv.pdf pdf_icon

IXGT6N170A

Advance Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGT6N170AHV IC25 = 6A IGBT VCE(sat) 7.0V tfi(typ) = 32ns TO-268 G E Symbol Test Conditions Maximum Ratings C (Tab) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V G = Gate C = Collector VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V E = Emiiter Tab = Collector VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

 5.1. Size:181K  ixys
 ixgt6n170 ixgh6n170.pdf pdf_icon

IXGT6N170A

VCES = 1700V High Voltage IXGT6N170 IC90 = 6A IGBT IXGH6N170 VCE(sat) 4.0V tfi(typ) = 290ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V VGES Continuous 20 V TO-247 (IXGH) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 12 A IC90 TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT50N60C2, IXGT50N90B2, IXGT60N60B2, IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IXGT6N170, IHW40T60, IXGT72N60A3, IXGT72N60B3, IXGV25N250S, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3