Справочник IGBT. IXGT72N60B3

 

IXGT72N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT72N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.51 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 575 pF
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXGT72N60B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT72N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 ixgt72n60b3.pdf pdf_icon

IXGT72N60B3

GenX3TM B3-Class VCES = 600VIXGH72N60B3IC110 = 72AIGBTsIXGT72N60B3VCE(sat) 1.80Vtfi(typ) = 90nsMedium Speed low Vsat PTIGBTs 5-40 kHz SwitchingTO-247 AD (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC(TAB)EVGEM Transient 30 VIC25 TC = 2

 5.1. Size:198K  ixys
 ixgt72n60a3.pdf pdf_icon

IXGT72N60B3

IXGH72N60A3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGT72N60A3IC110 = 72AUltra Low Vsat PT IGBT forVCE(sat) 1.35Vup to 5kHz switchingtfi(typ) = 250nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC C (TAB)EIC25 TC = 25C (lim

Другие IGBT... IXGT60N60B2 , IXGT60N60C2 , IXGT60N60C3D1 , IXGT64N60A3 , IXGT64N60B3 , IXGT6N170 , IXGT6N170A , IXGT72N60A3 , STGW60V60DF , IXGV25N250S , IXGX100N170 , IXGX120N120A3 , IXGX120N120B3 , IXGX120N60A3 , IXGX120N60B3 , IXGX120N60C2 , IXGX12N90C .

History: VS-GA250SA60S | SKM150GB12T4 | VS-GT50TP120N | VS-GB100TP120U | FGW30N60VD | MIXA20W1200MC | IXGT32N90B2

 

 
Back to Top

 


 
.