IXGT72N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT72N60B3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.51 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 575 pF

Тип корпуса: TO268

 Аналог (замена) для IXGT72N60B3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT72N60B3 даташит

 ..1. Size:186K  ixys
 ixgt72n60b3.pdf pdf_icon

IXGT72N60B3

GenX3TM B3-Class VCES = 600V IXGH72N60B3 IC110 = 72A IGBTs IXGT72N60B3 VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 90ns Medium Speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz Switching TO-247 AD (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V C (TAB) E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 2

 5.1. Size:198K  ixys
 ixgt72n60a3.pdf pdf_icon

IXGT72N60B3

IXGH72N60A3 VCES = 600V GenX3TM 600V IGBT IXGT72N60A3 IC110 = 72A Ultra Low Vsat PT IGBT for VCE(sat) 1.35V up to 5kHz switching tfi(typ) = 250ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C C (TAB) E IC25 TC = 25 C (lim

Другие IGBT... IXGT60N60B2, IXGT60N60C2, IXGT60N60C3D1, IXGT64N60A3, IXGT64N60B3, IXGT6N170, IXGT6N170A, IXGT72N60A3, IRG4PC50UD, IXGV25N250S, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, IXGX120N60C2, IXGX12N90C