IXGX12N90C - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX12N90C

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX12N90C

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX12N90C даташит

 ..1. Size:141K  ixys
ixgx12n90c.pdfpdf_icon

IXGX12N90C

HiPerFASTTM IGBT IXGH 12N90C VCES = 900 V LightspeedTM Series IXGX 12N90C IC25 = 24 A VCES(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 70 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 900 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 900 V VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V G C E IC25 TC = 25 C24 A IC90 TC = 90 C12 A PLUS 247 (IXGX) ICM TC = 25

 8.1. Size:197K  ixys
ixgk120n60b3-ixgx120n60b3.pdfpdf_icon

IXGX12N90C

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

 8.2. Size:194K  ixys
ixgx120n60b3.pdfpdf_icon

IXGX12N90C

VCES = 600V GenX3TM 600V IXGK120N60B3 IC110 = 120A IXGX120N60B3 IGBTs VCE(sat) 1.8V tfi(typ) = 145ns Medium-Speed-Low-Vsat PT IGBTs for 5-40kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Tab VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXG

 8.3. Size:211K  ixys
ixgx120n60a3.pdfpdf_icon

IXGX12N90C

GenX3TM A3-Class IXGK120N60A3 VCES = 600V IXGX120N60A3 IC110 = 120A IGBTS VCE(sat) 1.35V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 5kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G (TAB) C VGES Continuous 20 V E E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 200 A PLUS 2

Другие IGBT... IXGT72N60B3, IXGV25N250S, IXGX100N170, IXGX120N120A3, IXGX120N120B3, IXGX120N60A3, IXGX120N60B3, IXGX120N60C2, SGT40N60FD2PT, IXGX28N140B3H1, IXGX320N60A3, IXGX320N60B3, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1, IXGX35N120C