IXGX35N120CD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGX35N120CD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF

Тип корпуса: PLUS247

 Аналог (замена) для IXGX35N120CD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX35N120CD1 даташит

 ..1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120cd1.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data Sheet IXGK 35N120C VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120C IC25 = 70 A IXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 V IXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

 3.1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120c.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data Sheet IXGK 35N120C VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120C IC25 = 70 A IXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 V IXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

 4.1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data Sheet IXGK 35N120B VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120B IC25 = 70 A IXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 V IXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

 4.2. Size:45K  ixys
 ixgx35n120b.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data Sheet IXGK 35N120B VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120B IC25 = 70 A IXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 V IXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGX28N140B3H1, IXGX320N60A3, IXGX320N60B3, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1, IXGX35N120C, BT60T60ANFK, IXGX400N30A, IXGX400N30A3, IXGX40N60BD1, IXGX50N120C3H1, IXGX50N60A2D1, IXGX50N60B2D1, IXGX50N60BD1, IXGX50N60C2D1