Справочник IGBT. IXGX35N120CD1

 

IXGX35N120CD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGX35N120CD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXGX35N120CD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGX35N120CD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120cd1.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data SheetIXGK 35N120C VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120C IC25 = 70 AIXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 VIXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

 3.1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120c.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data SheetIXGK 35N120C VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120C IC25 = 70 AIXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 VIXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

 4.1. Size:45K  ixys
 ixgx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data SheetIXGK 35N120B VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120B IC25 = 70 AIXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 VIXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

 4.2. Size:45K  ixys
 ixgx35n120b.pdf pdf_icon

IXGX35N120CD1

Preliminary Data SheetIXGK 35N120B VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGX 35N120B IC25 = 70 AIXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 VIXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns(D1)Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGCC (TAB)VGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC9

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGX28N140B3H1 , IXGX320N60A3 , IXGX320N60B3 , IXGX32N170AH1 , IXGX32N170H1 , IXGX35N120B , IXGX35N120BD1 , IXGX35N120C , FGW75N60HD , IXGX400N30A , IXGX400N30A3 , IXGX40N60BD1 , IXGX50N120C3H1 , IXGX50N60A2D1 , IXGX50N60B2D1 , IXGX50N60BD1 , IXGX50N60C2D1 .

History: IGC18T120T6L | STGW45HF60WDI | APT80GP60JDF3

 

 
Back to Top

 


 
.